第四百一十章 i bi

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可以有望實現小型化，才在空空導彈內實現雷達波的發射及接收一手包辦，而這便是主動雷達導引頭的作用。

美帝有了小型化的主動雷達導引頭，所以搞出AIM-120這種神器，而共和國現在卻只能搗鼓AIM-7家族改進而來的半主動雷達導引頭：霹靂11。

這兩種導彈之間有巨大地差距，要說這種代差，大概跟三代機與四代隱身機之間差不多，完全是吊打。

所以嘛....

有的時候，軍用和民用之間差距真的很小，孟懷英原本只是為了實現CMOS射頻晶片功率大，才弄出SiGeBiCMOS工藝，卻沒想到她搞出來的技術擁有非常廣闊地軍用前景。

在孟懷英的SiGeBiCMOS工藝成功之際，由於當時射頻晶片在607所的微波暗室進行測試，結果出來之後，便被607所大神們敏銳地發現其軍用價值，這時候甚至都已經開始元件團隊基於該技術開發相控陣主動雷達導引頭。

主動雷達導引頭髮展歷中，實際也並非一步到位的直接進入到相控陣雷達時代。

九十年代的主動雷達導引頭並不是相控陣體制，那時候是傳統的“機掃-平板縫隙天線”雷達小型化而來，包括美國AIM-120、歐洲流星，以上這些皆如此。

相控陣主動雷達導引頭，那都是在2000年之後才有所抬頭，此時的砷化鎵T/R元件小型化逐漸成熟，又是小日本最先吃螃蟹，他們研製於2002年AAM-4B中距彈就採用相控陣主動導引頭。

AAM-4B採用有源相控陣主動導引頭，能夠提高探測距離、抗干擾、在對一些雷達隱身目標的探測能力也還不錯，這實用化速度甚至比他美爹都來的更快。

現在九十年代初期，607所要準備上馬相控陣雷達主動導引頭，汪正國也能表示：你們高興便好。

上位面之所以是在2000年之後才開始有主動相控陣雷達頭，是因為早期“機掃-平板縫隙天線”主動導引頭髮展足夠成熟，畢竟那是美帝AIM-120證明過的道路，後來者也都爭相效仿。

再有一點，砷化鎵T/R元件的小型化一直到2000年之後才逐漸成熟，並且還要把成本控制下去，否則又如何能用於空空導彈這種一次性產品中。

至於現在，隨著孟懷英提出SiGeBiCMOS工藝，一次性解決了生產成本和小型化兩個問題，唯一不足之處是功率方面還是比不上砷化鎵T/R元件。

但很多問題都要一分為二的看待，如果不和砷化鎵T/R元件去比功率，轉而和同時期的AIM-120、流星這些採用“機掃-平板縫隙天線”導引頭相比，這兩者功率其實相差不大。

國內目前才剛把半主動雷達導引頭的課補上，主動雷達導引頭技術完全還沒想過，更不用說從別處去找技術參考。

607所在相控陣雷達上面有技術積累，現在正好找到比較合適的新型半導體工藝來生產適用於彈載導引頭的T/R元件，那為什麼不能直接走相控路線？

隨著國內半導體加工精度不斷提高，採用SiGeBiCMOS工藝製造的T/R元件也會進一步增加功率，縱然無法跟採用砷化鎵T/R元件的主動雷達導引頭相比，但只要能和同期一票“機掃-平板縫隙天線”持平便夠了，況且SiGeBiCMOS工藝製造的T/R元件成本也能夠得到有效控制。

只要拿出的產品效能可以和同時期國際水平相當，價格不比它們貴，至於採用什麼技術路線，這有太大關係嗎？

霹靂11導彈被魔都航天局這個航天口單位搶走，自此以後，航空系統內部就斷了中距彈專案，如果607所能率先搞出主動雷達導引頭，相信以航空口的魄力，還不得馬上全力支援，必須奪回中距空空彈市場，畢竟國內最強大的空空導彈研製力量依舊還是在航空口。

至於魔都航天局，那不過是正好趁著霹靂11專案引進義大利技術而弄出來的專案，頂多是半路出家，而能生產空空導彈和能研製空空導彈，這是完全是不同概念。

按照607那邊所言，他們已經聯合014空空導彈研究院，雙方打算開始對下一代中距離空空導彈專案展開預研，準備弄一款能同美製AIM120對抗的大傢伙出來，徹底將魔都航天口妄想把爪子伸進空空導彈領域的邪念斬斷。

有關607所和空空導彈研究院的野望，這並不是汪正國所關心，孟懷英雖然隱約猜到607所得到SiGeBiCMOS工藝技術之後會將其用