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沒有管臺下反應,這次來ISS大會,還在美國佬的地盤砸場子,直接擺明車馬要懟美國半導體行業巨人英特爾公司,質疑人家行業頂級大佬所留下的金科玉律,而且還是經受住了時間考驗的那種。

嗯.....

這美國人要是還能穩住,那絕對不可能,所以倪光南總工也早有準備,直接不理會其它,繼續埋頭演講,不給其他人說話的機會,有啥事兒,你們都給我憋著。

要說這種情況吧,倒是跟幾十年後大學老師在臺上講課,然後臺下眾多學生各種千奇百怪姿勢很一樣,但老師卻內心毫無波動,甚至還能倒背圓周率,更兼計劃回頭應該給那些學生掛科。

繼續不急不緩地演講,整個過程給人感覺是情感上毫無波瀾,絕對是那種沒看過《演講與口才》的業餘講師。

“當價格不變時,在單位面積的積體電路上可容納元器件數目,每隔8-24個月便會增加一倍,這是英特爾公司的戈登摩爾博士所提出,並且根據前二十年的半導體積體電路行業發展情況看,似乎也完美印證此處,甚至我們再往後三十年,也同樣還能繼續維持下去。”

先來個小小地吹捧,類似欲揚先抑的反套路使用,不過這種效果卻往往都能起到不錯的作用,所以不該少的是一樣都不能少。

“現在主流的半導體工藝已經過度到0.5微米,各大公司都在攻克0.35微米工藝技術。那我說一個問題,半導體工藝技術是否能夠持續保證每兩年更新換代一次,這個問題可能有人說可以隨著時間的發展而解決,但在我看來,就目前傳統光刻機技術路線而言,十年之內想要突破0.微米是很困難。”

十年之內,也就是在2000年左右讓光刻機突破0.微米,以歐美這些科研人員來做,好像全都是走乾式光刻機臺路子,這難度還真不是一般的大。

真正讓光刻機突破微米為單位的時代,實際還是位華裔人士:林本堅。

這位大佬在IB工作的970到992年之間,那是帶領團隊先後完成微米、0.75微米、 0.5微米光刻工藝發展攻關,每一步躍進在當時都是引領產業界最前沿,屬於當時最頂級的工藝技術。

而產業界一直要使用好幾十年的“深紫外線光源”技術,則是這位大佬在975年所做出,在當時是光刻技術最短波長的光線。

能夠帶領IB公司的光刻工藝製程團隊攻堅的人物,全球範圍之內,敢說專精於此項技術的絕不超過十人,林本堅則是在這排名當中很靠前的神級人物。

在上位面,也是在992年,這位選擇加入臺積電,用他當時所掌握的世界最前沿工藝製程技術帶著臺電一路發展壯大,並依靠獨門絕學“侵潤式光刻技術”帶領檯電實現三級跳,在2000年之後,最終成為世界最頂級的半導體積體電路代工廠。

那麼現在這位面就不一樣了,諸如臺電這種單位,它比起更加金光閃閃的開陽半導體來說,簡直就是弱雞好不好。

還更不用說IB公司本就和開陽半導體算是一條戰壕裡面,關於開陽半導體公司的大致情況,林本堅所知還真不要太少,在聽說開陽方面卡在了0.5微米工藝時候,便主動提出可以提供技術方面的諮詢。

如此直白地表達,開陽那邊要是還感覺不出來,虞有澄這E也差不多可以直接下課算了。

在經過短暫瞭解過後,看到虞有澄這個前任英特爾公司微處理器產品部門大總管直接當上開陽半導體的E,而這兩位實際也都是從IB-P時代過來的老朋友了,現在也是沒的說,一起幹!

按照汪正國同虞有澄、林本堅,還有包括國內剛扶持起來的兩大光刻機廠商一起坐下來商量的結果,林本堅將全面負責開陽半導體生產工藝革新工作,名譽上是僅次於倪光南總工。

但就實際而言,林本堅、白斯文、孟懷英、倪光南,這四人地位其實都算同一層次。

再往下,則是另外一位負責半導體工藝中電路結構設計的梁孟松,他所從事研究工作屬於半導體工藝當中更細分之後的部分,雖然很重要、很關鍵,但大體還是要歸林本堅所管轄。

在半導體晶片設計方面,倪光南總工負責抓總體,白斯文教授做S光學感測晶片、孟懷英做射頻晶片,負責微處理器設計的人反而是巴基斯坦籍工程師:拉沙。

拉沙現在還沒有做出創造性的技術,旁邊梁孟松也是如此,所以這兩人距離最頂尖四位大佬還差那麼半級,以後只能慢慢等待時機到了之後,只要能搞出大新聞,自然能

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