第56部分

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火氣，三番兩次地被這老爺子弄得尷尬，付新終於忍不住了，於是故意找了一個難題，向黃老爺子誠懇地問道：“老爺子，我以前聽說過一種英文縮寫名叫做IGBT，全稱叫做Insulated＿Gate＿Bipolar＿Transistor的絕緣柵雙極型電晶體，它是由BJT，雙極型三極體和MOS，絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

可是我一直搞不懂它的工作特性，為什麼分靜態特性和動態特性，靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性，動態特性我只知道一個，是IGBT在開透過程中，大部分時間是作為MOSFET來執行的，只是在漏源電壓Uds下降過程後期，PNP電晶體由放大區至飽和，因此又增加了一段延遲時間。我想問您，你知道這個這個IGBT絕緣柵雙極型電晶體的工作特性為什麼會這樣嗎？”

第二十七章　華興實業發展公司

關於IGBT絕緣柵雙極型電晶體的工作特性，要是黃老爺子真得能答出來，付新可真要保住黃老爺子大喊同行了！

不說別的，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即被介紹到世間，也才過去兩年，也就是一九七九年，IGBT概念的先驅MOS柵功率開關器件才問世。

另外，在付新的上輩子，到死也沒有見到我國真正擁有完全自主的IGBT“中國芯”，因為完全自主IGBT“中國芯”是到2013年9月12日我國自主研發的高壓大功率3300V/50AIGBT絕緣柵雙極型電晶體晶片及由此晶片封裝的大功率1200A/3300VIGBT模組透過了專家鑑定才問世的，這時候，付新已經穿越。

很可惜，黃老爺子不是付新的同行，他連IGBT這個英文縮寫詞都沒聽過，對於付新的問題，他根本答不上一句來，“呃……”黃老爺子的臉色漲的通紅。

不過黃老爺子這種純粹的研究人員，最重要的，是他們對新知識的渴求，所以沒過一會兒，黃老爺子就不恥下問地朝付新問道：“付同志，我為我之前對你的偏見道歉，你能給我講一講這個IG什麼BT嗎？”

“是IGBT，英文全稱Insulated＿Gate＿Bipolar＿Transistor，中文名叫做絕緣柵雙極型電晶體。”付新糾正道。

然後付新繼續說道：“它是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效電晶體）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件兼有MOSFET……的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

前年，也就是一九七九年。MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅才被介紹到世間。是它開啟了人類對IGBT絕緣柵雙極型電晶體的研究，其他的，我就不太清楚了，我也是在國外的一本科學雜誌上面看到的。”付新不敢說太多了，說太多了，就驚世駭俗了。

其實付新說到“兼有MOSFET”時就意識到了自己犯了一個嚴重的錯誤，那就是暴露了超前的知識。不過說都說到了這個地步，那隻能硬著頭皮上了，完整的解釋了一下IGBT絕緣柵雙極型電晶體的概念，然後只能期待眼前這些人不懂，過後就把這件事忘掉。

“非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域……好東西啊，可惜我們國家落後了。估計知道這個IGBT絕緣柵雙極型電晶體的都沒幾個。以後的世界，是你們年輕人的了，我們老了，國家的未來，得靠你們支撐啊！”黃老爺子充滿傷感地感慨道。

付新重重地點了點頭，然後說道：“老爺子，您放心吧。我們一定會繼承先輩的意願，將我們這個國家建設的富強、民主、自由！您現在還年輕，一定可以看到這一天的！”付新也不對這個倔強的老頭子有怨念了，這是一個為國家奔波了一輩子的老人啊，值得尊重。

“希望如此吧，也不知道老頭子我還有幾年可活！你們加油吧！”老爺子沒有說太多。

……