第347章 各項技術

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得到了專業人士的肯定，兩位老總臉上的表情更加欣喜，看向江辰的眼神也愈發滿意。

他們彷彿看到了公司未來的光明前景，對江辰的創新能力充滿了信心。

“其實不止是EUV光刻技術，”

江辰微笑著繼續說道

“我還有幾種光刻技術的設想，也都可以說一說。”

他頓了頓，開始詳細闡述

“例如奈米壓印光刻，這是一種類似印表機的技術。

我們透過在模具上刻上奈米電路的圖案，然後將其壓在矽片的感光材料上，透過紫外線照射完成轉印。

這種技術的精度至少有2奈米，對於提高生產效率有著顯著的優勢。”

“還有電子束光刻機，”

江辰接著介紹

“這是用高能電子束替代極紫外線的技術。電子對應的波長更是隻有0.04奈米，因此其精度更高。

不過，由於精度高，但是生產速度相對較慢，還有改進的空間。”

他看了一眼聽眾，發現他們都在認真傾聽，於是繼續說道

“最後還有自組裝光刻技術，這是使用化學物質誘導光刻材料在矽片上自發組成所需結構的方法。

這種技術的解析度高，並且加工速度不受影響。但是，它對材料控制的要求非常高，目前還處在實驗室階段。”

江辰的每一句話都充滿了創新的火花，讓在場的所有人都為之動容。

原以為他能夠解決EUV光刻技術就已經非常天才了，沒想到他還有其他幾種光刻技術的設想。

既然他能夠堂而皇之地將這些技術說出來，那麼肯定是有理論和實驗依據作為支撐的。

這場會議讓大家對於江辰的技術能力非常信服。

對於EUV光刻技術，他們都已經深入研究過，因此深知這項技術的極限是在3奈米。

這是一個難以突破的瓶頸，也是未來技術發展的一個重要節點。

根據摩爾定律和最近十幾年的半導體發展歷程來看，每18到24個月，積體電路上可以容納的電晶體數目就會增加一倍。

簡而言之，處理器的效能大約每兩年就會翻一倍，同時價格也會下降到之前的一半。

這是一個不可逆轉的趨勢，也是推動科技不斷進步的重要力量。

然而，3奈米的極限看似很遠，但實際上很快就會摸到上限。

目前的奈米制程還停留在45奈米，按照各家的推算，不需十年最晚十五年時間就會達到極限。

並且根據大家的研究來看，EUV光刻技術的優勢主要在於7奈米到14奈米這個階段。

在這個階段，它的效能和成本都相對較為優越。

但是，隨著製程的不斷縮小，研發成本會呈指數級上升，這使得繼續研發EUV光刻技術變得完全不合算。

因此，不止研發EUV光刻技術，尋找新的、更具成本效益的光刻技術去觸控更高精度製程已經成為行業的共識。

如今，江辰提出了精度更高的其他光刻技術，這無疑為兩家光刻製造企業帶來了新的希望和機遇。

他們當然也想要這些技術，以便在未來的競爭中佔據先機。

不過還沒等兩位老總把話說出口，就被其他人打斷了。

“到現在為止，我們說的都是光刻環節的問題，但其實其他公司都還嗷嗷待哺，等著聽您的高見呢。”

“江總，既然您已經解決了光刻環節的問題，那相信在刻蝕、光刻膠乃至儲存技術方面，您肯定也有成熟的方案吧。

不妨一起說說吧，讓我們也聽聽您的全面規劃。”

這個人的話語中充滿了期待和急切，顯然對江辰的技術實力充滿了信心和期待。

這番話語也引起了在場其他人的共鳴，其餘眾人都紛紛點頭表示贊同，希望江辰能夠繼續分享他的技術見解和規劃。

而後，江辰也陸續分享了自己手中掌握的一系列技術。

例如，他講解了刻蝕技術的先進工藝，這是一項對半導體襯底表面或表面覆蓋的薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的關鍵技術。

在晶片製造的眾多環節中，它被視為第二大技術難點，對於提升晶片的效能和良率至關重要。

除此之外，江辰還分享了關於光刻膠的資訊。

光刻膠是一種在紫外光照射或輻射下，其溶解度會發生變化的耐蝕劑刻蝕磨料。